16象元硅光电二极管阵列 S11299-021

背照型光电二极管阵列,用于x射线无损检测,细长板型

S11299-021是一款背照式16元光电二极管阵列,专为X射线无损检测设计。与S5668系列相比,它具有更高的灵敏度、均匀性和光电二极管元件稳定性。背照式光电二极管阵列具有便捷操作的特点,而且易于耦合到闪烁体,因为其背面没有接合线和光敏区域,不用担心损坏电路。S11299系列兼容双能量成像,因为它可与S11212系列[尺寸:25.4(宽)×20.0(高)mm]结合使用,配置上下两层结构,同时检测高、低X射线。


产品特征
● 光谱响应范围:340至1100nm
● 元件尺寸:1.175(宽)×2.0(高)mm /单个元件
● 元件间距:1.575毫米(×16像素)
● 安装在板上尺寸:25.4(宽)×10.2(高)mm
● 多种组合形式,宽窄均能适用
支持双能量成像(用于上下两层结构)


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注意事项

 该产品的芯片未密封并暴露在外。 芯片上的电极等部件没有外壳或窗户的保护,因此与普通产品相比,在处理过程中需要特别小心。
 在使用本产品之前,请务必阅读下面pdf文件“未密封产品/注意事项”。


Unsealed products / Precautions [PDF]



参数信息

 

像素尺寸(单个)

1.175 × 2.0 mm

像素个数

16

封装

Glass epoxy

封装类型

Unsealed

闪烁体种类

None

冷却方式

Non-cooled
光谱响应340 to 1100 nm

峰值灵敏波长(典型值

920 nm

光敏度(典型值

0.61 A/W

暗电流(最大值

30 pA

截至频率(典型值

6.5 μs

终端电容(典型值

40 pF
注意This photodiode array as it is does not function as an X-ray detector. An appropriate scintillators or phosphor sheet should be added at user’s side.

测量条件

Ta=25 ℃, per element, Photosensitivity: λ=λp

 

外形尺寸(单位:mm)

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